

| Parameter | Wert |
|---|---|
| C2 | |
| ATEX | II 1G Ex ia IIC T4...T6 Ga |
| Notiz | A2:2013 |
| Typ | Screw-in module |
| Farbe | Steel/stainless steel color |
| Tiefe | 148 mm |
| IECEx | Ex ia IIC T4...T6 Ga |
| Breite | 33.5 mm |
| Höhe | ≤ 2000 m (amsl) |
| Produktart | Surge protection for MCR technology |
| Schraubengewinde | M3 |
| Montageart | direct screw connection |
| Bemessungsstrom | 350 mA (50 °C) |
| Produktfamilie | SURGETRAB |
| Seitenwand öffnen | No |
| Artikelüberarbeitung | 17 |
| Gehäusematerial | Zinc die-cast, surface bronzed and nickel-plated |
| Verschmutzungsgrad | 2 |
| Verbindungsmethode | Screw connection |
| Anzugsmoment | 0.6 Nm |
| Nennspannung UN | 24 V DC |
| Hinweise zum Betrieb | When the bridge is disconnected, the shield connection is indirectly connected to the housing or reference potential. |
| Maßzeichnung | |
| Handlungsrichtung | Line-Line & Line-Earth Ground |
| Anzahl der Positionen | 3 |
| Widerstand pro Pfad | 2.2 Ω ±10 % |
| max. Eingangsleistung Pi | 3.00 W |
| Schutzgrad | IP67 |
| Überspannungskategorie | III |
| Reststrom IPE | ≤ 2 µA |
| Max. Eingangsstrom Ii | 350 mA (T4 / ≤ 50 °C) |
| Maximale Eingangsspannung Ui | 30 V |
| Normen/Vorschriften | IEC 60664-1 / EN 60079-0 / EN 60079-11 |
| Drahtpaare pro Modul | 1 |
| IEC-Prüfklassifizierung | C1 |
| Gehäuseoberflächenmaterial | nickel-plated |
| Maximale Oberflächentemperatur | 135 °C (T4) |
| Normen/Spezifikationen | EN 61643-21 |
| Eingangsdämpfung aE, sym. | typ. 0.5 dB (≤ 1 MHz / 50 Ω) |
| Leiterquerschnitt AWG | 26 ... 16 |
| Maximale Inneninduktivität Li | 1 µH |
| Reaktionszeit tA(Zeile-Zeile) | ≤ 1 ns |
| Isolationsspannung gegen Erde | 500 V AC |
| Maximale innere Kapazität Ci | 2 nF |
| Reaktionszeit tA(Leitung-Erde) | ≤ 100 ns |
| Leiterquerschnitt starr | 0.14 mm² ... 1.5 mm² |
| Maximale Dauerspannung UC | 30 V DC |
| Impulsbeständigkeit (Linie-Linie) | C1 - 1 kV / 500 A |
| Überspannungsschutz-Fehlermeldung | none |
| Umgebungstemperatur (Betrieb) | -40 °C ... 50 °C |
| Impulsbeständigkeit (Leitung-Erde) | C1 - 1 kV / 500 A |
| Leiterquerschnitt flexibel | 0.14 mm² ... 1.5 mm² |
| Ansprechzeit tA (Schutzschirm-Erde) | ≤ 100 ns |
| Impulsbeständigkeit (Schutzschirm-Erdung) | C1 - 1 kV/500 A |
| Betriebseffektivstrom ICat UC | ≤ 10 µA |
| Spannungsschutzpegel nach oben (Leiter-Leiter) | ≤ 50 V (C1 - 0.5 kV / 250 A) |
| Umgebungstemperatur (Lagerung/Transport) | -40 °C ... 85 °C |
| Spannungsschutzpegel nach oben (Leiter-Erde) | ≤ 1.4 kV (C1 - 1 kV / 500 A) |
| Impulsentladungsstrom Iimp(10/350) µs | 1 kA |
| Spannungsschutzpegel nach oben (Schirm-Erde) | ≤ 600 V (C1 - 0.5 kV / 250 A) |
| Restspannung bei In(Leiter-Leiter) | ≤ 50 V |
| Wechselstrombelastbarkeit (Leiter-Erde) | 10 A - 1 s |
| Nennentladestrom In(8/20) µs (Leiter-Leiter) | 10 kA |
| Grenzfrequenz fg (3 dB), sym. im 50 Ω-System | typ. 6 MHz |
| Nennimpulsstrom Ian (10/1000) µs (Leiter-Leiter) | 30 A |
| Restspannung bei Ian (10/1000) µs (Leiter-Leiter) | ≤ 50 V |
| Grenzfrequenz fg (3 dB), sym. im 150 Ω-System | typ. 2.5 MHz |
| Nennentladestrom In(8/20) µs (Leitung-Erde) | 10 kA (per path) |
| Nennimpulsstrom Ian (10/1000) µs (Leitung-Erde) | 100 A (per path) |
| Wechselstrombelastbarkeit (Schutzschirm-Erde) | 10 A - 1 s |
| Nennentladungsstrom In(8/20) µs (Abschirmung-Erde) | 10 kA (optional) |
| Nennimpulsstrom Ian (10/1000) µs (Abschirmung-Masse) | 100 A |
| Begrenzung der Ausgangsspannung bei einem Spannungsstoß von 1 kV/µs (Leiter-Leiter). | ≤ 50 V |
| Begrenzung der Ausgangsspannung bei einem Spannungsstoß von 1 kV/µs (Leitung-Erde). | ≤ 1.4 kV (Direct grounding) |
| Ausgangsspannungsbegrenzung bei 1 kV/µs (Leiter-Leiter) statisch | ≤ 50 V |
| Maximaler Entladestrom Imax(8/20) µs maximal (Leiter-Leiter) | 10 kA |
| Ausgangsspannungsbegrenzung bei 1 kV/µs (Leiter-Erde) statisch | ≤ 1.4 kV (Direct grounding) |
| Maximaler Entladestrom Imax(8/20) µs maximal (Leiter-Erde) | 10 kA (per path) |
| Begrenzung der Ausgangsspannung bei einem Spannungsstoß von 1 kV/µs (Abschirmung-Masse). | ≤ 600 V (optional) |
| Entladestoßstrom Imax(8/20) µs maximal (Abschirmung-Erdung) | 10 kA |
Technische Spezifikationen und Leistungsdaten
Installations- und Betriebsanleitung